ウェハの切断後、タイマーは分単位ではなく秒単位で進んでいきます。UVテープを使用する際には、歩留まりを守るか、それともウェハを台無しにするかの選択に迫られます。硬化処理が過剰だと接着剤が残り、逆に不足しているとチップが剥がれてしまいます。必要なのは、サイクルごとに同じスペクトル出力とエネルギー密度を維持できるUV光源です。
技術的に重要な点 半導体用テープは、通常365nmおよび385nmの特定のUV波長に調整された光開始剤に依存しています。私たちは狭帯域の発光を持つランプを使用し、二色反射器を使って広帯域のIR光がウェハに熱を与えないようにしています。基板面での最大放射照度は2.5W/cm²に達し、これにより10秒未満で2,000mJ/cm²以上の硬化エネルギーが得られます。3,000時間の使用でも出力の安定性は3％以内であり、また、高いUV透過率を持つ石英製のケースのおかげで、オゾンが発生しません。
実際に効果的な理由 ダイシング用テープは、迅速な架橋反応を実現するために設計されています。ランプのスペクトルが光開始剤の吸収波長に合致している場合、表面が瞬時に硬化し、一方で接着剤自体はそのまま残ります。その結果、テープは一枚のままきれいに剥がれます。これにより、処理速度が向上し、サイクルタイムは30秒から10秒未満に短縮されます。また、薄膜構造に熱ストレスがかかることもありません。その結果、剥がし力が均一になり、不良品も減少し、ランプの交換も計画的に行えます。
注意すべき詳細 位置合わせは正確でなければなりません。2mmの焦点ずれでも、有効な放射照度は半減してしまいます。そのため、ライン上に放射線計を設置し、ランプの出力だけでなく、基板上の照射量も測定する必要があります。 ランプは低い熱負荷で動作しますが、反射器の温度を一定に保つためには強制空冷が必要です。そうしないと、スペクトルの一貫性が失われ、反射器の寿命も短くなります。24Vの制御を組み込む必要があり、また、取扱装置との接続性も確認する必要があります。